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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 1,6A; 100W; TO263; 11ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 1,6A; 100W; TO263; 11ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 1,6A; 100W; TO263; 11ns
N. Articolo:
     5068-IXTA1R6N100D2
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTA1R6N100D2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tempo di prontitudine: 11ns
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 1,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 10Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 100W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 645nC
Genere di canale: impoverito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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