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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
N. Articolo:
     5068-IXTA32N20T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTA32N20T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tempo di prontitudine: 110ns
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 32A
Resistenza nello stato di conduzione: 78mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 200W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: thrench gate power mosfet
Carico della porta: 38nC
Genere di canale: arricchito
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