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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns
N. Articolo:
     5068-IXTH3N200P3HV
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTH3N200P3HV
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247HV
Tempo di prontitudine: 420ns
Tensione drenaggio-fonte: 2kV
Corrente di drenaggio: 3A
Resistenza nello stato di conduzione: 5Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 520W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: standard power mosfet
Carico della porta: 70nC
Genere di canale: arricchito
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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