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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 64A; 357W; TO247-3; 180ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 64A; 357W; TO247-3; 180ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 64A; 357W; TO247-3; 180ns
N. Articolo:
     5068-IXTH64N10L2
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTH64N10L2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tempo di prontitudine: 180ns
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 64A
Resistenza nello stato di conduzione: 32mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 357W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: linear power mosfet
Carico della porta: 0,1µC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Riepilogo condizioni1
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