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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolare; 250V; 100A; 600W; TO264


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolare; 250V; 100A; 600W; TO264
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolare; 250V; 100A; 600W; TO264
N. Articolo:
     5068-IXTK100N25P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTK100N25P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tempo di prontitudine: 200ns
Tensione drenaggio-fonte: 250V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 27mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 600W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 185nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: PolarHT™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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