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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -100V; -210A; 1040W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -100V; -210A; 1040W
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -100V; -210A; 1040W
N. Articolo:
     5068-IXTK210P10T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTK210P10T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tempo di prontitudine: 200ns
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -210A
Resistenza nello stato di conduzione: 7,5mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,04kW
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 740nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: TrenchP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
Riepilogo condizioni1
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