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Modulo; transistor singolo; 100V; 200A; SOT227B; avvitabile; 550W


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Informazioni sul prodotto
Modulo; transistor singolo; 100V; 200A; SOT227B; avvitabile; 550W
Modulo; transistor singolo; 100V; 200A; SOT227B; avvitabile; 550W
N. Articolo:
     5068-IXTN200N10T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTN200N10T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tempo di prontitudine: 76ns
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 200A
Resistenza nello stato di conduzione: 5,5mΩ
Potenza dissipata: 550W
Polarizzazione: unipolare
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET
Carico della porta: 152nC
Tecnologia: TrenchMV™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 500A
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