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Modulo; transistor singolo; 40V; 660A; SOT227B; avvitabile; 1040W


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Informazioni sul prodotto
Modulo; transistor singolo; 40V; 660A; SOT227B; avvitabile; 1040W
Modulo; transistor singolo; 40V; 660A; SOT227B; avvitabile; 1040W
N. Articolo:
     5068-IXTN660N04T4
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTN660N04T4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tempo di prontitudine: 60ns
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 660A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,85mΩ
Potenza dissipata: 1,04kW
Polarizzazione: unipolare
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET
Carico della porta: 0,86µC
Tecnologia: TrenchT4™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Corrente di drain pulsata: 1,8kA
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