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Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolare; 100V; 160A; 430W; TO220AB


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolare; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolare; 100V; 160A; 430W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-IXTP160N10T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTP160N10T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tempo di prontitudine: 60ns
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 160A
Resistenza nello stato di conduzione: 7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 430W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 132nC
Tecnologia: Trench™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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Stato magazzino: Magazzino 5068
Spedizione: Magazzino 5068
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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