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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -32A; 300W; 190ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -32A; 300W; 190ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -32A; 300W; 190ns
N. Articolo:
     5068-IXTP32P20T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTP32P20T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tempo di prontitudine: 190ns
Tensione drenaggio-fonte: -200V
Corrente di drenaggio: -32A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,13Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 300W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 185nC
Tecnologia: TrenchP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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