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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolare; 200V; 96A; 600W; TO3P


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolare; 200V; 96A; 600W; TO3P
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolare; 200V; 96A; 600W; TO3P
N. Articolo:
     5068-IXTQ96N20P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTQ96N20P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO3P
Tempo di prontitudine: 160ns
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 96A
Resistenza nello stato di conduzione: 24mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 600W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 145nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: PolarHT™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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