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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
N. Articolo:
     5068-IXTT10N100D
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTT10N100D
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 850ns
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 10A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,4Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 400W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 130nC
Genere di canale: impoverito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 20A
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