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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
N. Articolo:
     5068-IXTT10P60
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTT10P60
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 0,5µs
Tensione drenaggio-fonte: -600V
Corrente di drenaggio: -10A
Resistenza nello stato di conduzione: 1Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 300W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 135nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
Riepilogo condizioni1
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