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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us
N. Articolo:
     5068-IXTT12N150
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTT12N150
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 1,2µs
Tensione drenaggio-fonte: 1,5kV
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,2Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 890W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 106nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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