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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
N. Articolo:
     5068-IXTT30N50L2
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTT30N50L2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 0,5µs
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 30A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,215Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 400W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: linear power mosfet
Carico della porta: 240nC
Genere di canale: arricchito
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