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Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolare; 600V; 30A; 540W; TO268


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolare; 600V; 30A; 540W; TO268
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolare; 600V; 30A; 540W; TO268
N. Articolo:
     5068-IXTT30N60L2
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTT30N60L2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 710ns
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 30A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,24Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 540W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 335nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: Linear L2™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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