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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns
N. Articolo:
     5068-IXTT60N20L2
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTT60N20L2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 330ns
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 60A
Resistenza nello stato di conduzione: 45mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 540W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: linear power mosfet
Carico della porta: 255nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Riepilogo condizioni1
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