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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 300V; 69A; 500W; TO268


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 300V; 69A; 500W; TO268
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 300V; 69A; 500W; TO268
N. Articolo:
     5068-IXTT69N30P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTT69N30P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
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Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 330ns
Tensione drenaggio-fonte: 300V
Corrente di drenaggio: 69A
Resistenza nello stato di conduzione: 49mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 500W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 156nC
Tecnologia: Polar™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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