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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1,2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1,2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1,2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns
N. Articolo:
     5068-IXTT6N120
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTT6N120
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
Transistori
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tempo di prontitudine: 850ns
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 6A
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 300W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: standard power mosfet
Carico della porta: 56nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Altri termini di ricerca: Transistore, fet di giunzione
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