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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W
N. Articolo:
     5068-IXTY1R4N120PHV
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTY1R4N120PHV
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO252HV
Tempo di prontitudine: 900ns
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 1,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 13Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 86W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: standard power mosfet
Carico della porta: 24,8nC
Tecnologia: Polar™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 3A
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