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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
N. Articolo:
     5068-IXYA20N65C3D1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYA20N65C3D1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 20A
Corrente del collettore nel impulso: 105A
Tempo d'avvio: 51ns
Tempo d'interruzione: 132ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 200W
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 30nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: Planar;GenX3™;XPT™
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