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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
N. Articolo:
     5068-IXYP10N65C3D1M
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYP10N65C3D1M
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 7A
Corrente del collettore nel impulso: 50A
Tempo d'avvio: 44ns
Tempo d'interruzione: 128ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 53W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 18nC
Tecnologia: Planar;GenX3™;XPT™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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