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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-LGE3M40065Q
Produttore:
     LUGUANG ELECTRONIC
N. Art. Produtt.:
     LGE3M40065Q
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: LUGUANG ELECTRONIC
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 58A
Resistenza nello stato di conduzione: 55mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 348W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
Carico della porta: 110,8nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -5...20V
Corrente di drain pulsata: 180A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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