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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 14A; Idm: 44A; 125W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-LSIC1MO120E0160
Produttore:
Littelfuse
N. Art. Produtt.:
LSIC1MO120E0160
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
LITTELFUSE
Montaggio:
THT
Corpo:
TO247-3
Tensione drenaggio-fonte:
1,2kV
Corrente di drenaggio:
14A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,16Ω
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
125W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
tubo
Carico della porta:
57nC
Tecnologia:
SiC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
-5...20V
Corrente di drain pulsata:
44A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N THT
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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