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Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; 190W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MCNA120UI2200TED
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MCNA120UI2200TED
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo diodo
Moduli diodi
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Corpo: E2-Pack
Tensione invertita max.: 1,7kV
Struttura del semiconduttore: diodo/transistor
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 80A
Corrente del collettore nel impulso: 150A
Applicazione: ondulatore
Potenza dissipata: 190W
Prezzo unitario: No
Montaggio elettrico: Press-in PCB
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
#Offerte #promozionali: aac_202202
Topologia: termistore NTC;boost chopper;ponte 3-fase a diodo-tiristore
Riepilogo condizioni1
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