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Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; P3


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MG25P12P3-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     MG25P12P3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Modulo diodo
Moduli diodi
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Corpo: P3
Tensione invertita max.: 1,2kV
Struttura del semiconduttore: diodo/transistor
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 25A
Corrente del collettore nel impulso: 50A
Applicazione: motori;ondulatore
Montaggio elettrico: Press-in PCB
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Topologia: raddrizzatore 3-fasi;semi ponte IGBT x3;termistore NTC;boost chopper
Riepilogo condizioni1
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