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Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolare; 500V; 30A; Idm: 150A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolare; 500V; 30A; Idm: 150A
Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolare; 500V; 30A; Idm: 150A
N. Articolo:
     5068-MMIX2F60N50P3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MMIX2F60N50P3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: SMPD
Tempo di prontitudine: 250ns
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 30A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 320W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 96nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: HiPerFET™;Polar3™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 150A
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