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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MSC035SMA170B4
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     MSC035SMA170B4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 1,7kV
Corrente di drenaggio: 48A
Resistenza nello stato di conduzione: 45mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 370W
Polarizzazione: unipolare
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
Carico della porta: 178nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 200A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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