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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W
N. Articolo:
     5068-MSC040SMA120B
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     MSC040SMA120B
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 46A
Resistenza nello stato di conduzione: 50mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 323W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 137nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 105A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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