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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W
N. Articolo:
     5068-MSC090SMA070B
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     MSC090SMA070B
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 700V
Corrente di drenaggio: 20A
Resistenza nello stato di conduzione: 108mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 90W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 38nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 69A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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