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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 46A; Idm: 160A; 313W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-NSF040120L3A0Q
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     NSF040120L3A0Q
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
Transistori
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 46A
Resistenza nello stato di conduzione: 60mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 313W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 95nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -10...22V
Corrente di drain pulsata: 160A
Altri termini di ricerca: Transistore, fet di giunzione
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