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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK


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N. Articolo:
     5068-NTD600N80S3Z
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTD600N80S3Z
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,55Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 60W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 15,5nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 21A
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