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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 150V; 11A; Idm: 246A; 3,8W; DPAK


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-NTDS015N15MCT4G
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTDS015N15MCT4G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 150V
Corrente di drenaggio: 11A
Resistenza nello stato di conduzione: 12,6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 3,8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 27nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 246A
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