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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-NTE2376
Produttore:
     NTE Electronics
N. Art. Produtt.:
     NTE2376
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
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Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile.

Produttore: NTE Electronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 19A
Resistenza nello stato di conduzione: 85mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 190W
Polarizzazione: unipolare
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 120A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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