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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -12V; -2,35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-NTGS3433T1G
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTGS3433T1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: TSOP6
Tensione drenaggio-fonte: -12V
Corrente di drenaggio: -2,35A
Resistenza nello stato di conduzione: 75mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 7nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -14A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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