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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 25A; Idm: 112A; 266W; TO247


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-NTH4L067N65S3H
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTH4L067N65S3H
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 25A
Resistenza nello stato di conduzione: 55mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 266W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 80nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 112A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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