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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
N. Articolo:
     5068-NTHL060N090SC1
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTHL060N090SC1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 900V
Corrente di drenaggio: 32A
Resistenza nello stato di conduzione: 60mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 110W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 87nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -10...20V
Corrente di drain pulsata: 184A
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