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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-P170FZ6QNKA-5071
Produttore:
     SHINDENGEN
N. Art. Produtt.:
     P170FZ6QNKA-5071
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: SHINDENGEN
Montaggio: SMD
Corpo: FZ (TO236AB);FZ7 (TO263SC)
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 170A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,4mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 178W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 130nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 510A
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