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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolare; 100V; 40A; Idm: 40A; 62,5W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolare; 100V; 40A; Idm: 40A; 62,5W
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolare; 100V; 40A; Idm: 40A; 62,5W
N. Articolo:
     5068-P40B10SL-5071
Produttore:
     SHINDENGEN
N. Art. Produtt.:
     P40B10SL-5071
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: SHINDENGEN
Montaggio: SMD
Corpo: FB (TO252AA)
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 40A
Resistenza nello stato di conduzione: 18,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 62,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 66nC
Tecnologia: EETMOS3
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 40A
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