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Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolare; 60V; 60A; Idm: 240A; 62,5W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolare; 60V; 60A; Idm: 240A; 62,5W
Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolare; 60V; 60A; Idm: 240A; 62,5W
N. Articolo:
     5068-P60B6EL-5071
Produttore:
     SHINDENGEN
N. Art. Produtt.:
     P60B6EL-5071
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: SHINDENGEN
Montaggio: SMD
Corpo: FB (TO252AA)
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 60A
Resistenza nello stato di conduzione: 7,7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 62,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 55nC
Tecnologia: EETMOS2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 240A
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