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Transistor: N-MOSFET; unipolare; RF; 65V; 2,5A; 31,7W; PowerSO10RF


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PD57018-E
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     PD57018-E
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Corpo: PowerSO10RF
Frequenza: 945MHz
Tensione drenaggio-fonte: 65V
Corrente di drenaggio: 2,5A
Tipo del transistor: N-MOSFET
Amplificazione: 16,5dB
Potenza d'uscita: 18W
Potenza dissipata: 31,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Montaggio elettrico: SMT
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di transistor: RF
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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