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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -1,5A; Idm: -6A; 350mW


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJC7401-R1
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJC7401_R1_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: SOT323
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -1,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,18Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 11nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: -6A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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