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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 300mA; Idm: 0,8A; 350mW


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJC7476-R1
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJC7476_R1_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: SOT323
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 0,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 9Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 1,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 0,8A
Riepilogo condizioni1
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