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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -40V; -45A; Idm: -135A; 63W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJD45P04-L2
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJD45P04_L2_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: TO252AA
Tensione drenaggio-fonte: -40V
Corrente di drenaggio: -45A
Resistenza nello stato di conduzione: 25mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 63W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 19nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -135A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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