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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 7,3A; Idm: 21,9A; 32W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJMF600N65E1-T0
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJMF600N65E1_T0_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: THT
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 7,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,6Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 32W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 17nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 21,9A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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