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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJS6839-S1
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJS6839_S1_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -0,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 13Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 1,1nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -1A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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