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Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJT7600-R1
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJT7600_R1_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: SOT363
Tensione drenaggio-fonte: 20/-20V
Corrente di drenaggio: 1A/-700mA
Resistenza nello stato di conduzione: 400/600mΩ
Tipo del transistor: N/P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 1,6/2,2nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Riepilogo condizioni1
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