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Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; 50/-60V; -250/400mA; 350mW


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJT7603-R1
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJT7603_R1_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: SOT363
Tensione drenaggio-fonte: 50/-60V
Corrente di drenaggio: -250/400mA
Resistenza nello stato di conduzione: 2,5/6Ω
Tipo del transistor: N/P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 0,95/1,1nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Riepilogo condizioni1
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