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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 3,2A; Idm: 8A; 2,6W; SOT223


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJW4N06A-AU-R2
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJW4N06A-AU_R2_000A1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: SOT223
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 3,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,11Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro
Carico della porta: 5,1nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 8A
Riepilogo condizioni1
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