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Transistor di potenza
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Articolo
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -4A; Idm: -16A; 3,1W; SOT223
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-PJW4P06A-AU-R2
Produttore:
PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
PJW4P06A-AU_R2_000A1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore:
PanJit Semiconductor
Montaggio:
SMD
Corpo:
SOT223
Tensione drenaggio-fonte:
-60V
Corrente di drenaggio:
-4A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,13Ω
Tipo del transistor:
P-MOSFET
Applicazione:
settore automotive
Potenza dissipata:
3,1W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
10nC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±20V
Corrente di drain pulsata:
-16A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo P
>
Transistori con canale P SMD
Altri termini di ricerca:
transistor di potenza
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