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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -4A; Idm: -16A; 3,1W; SOT223


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJW4P06A-AU-R2
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJW4P06A-AU_R2_000A1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: SOT223
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -4A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,13Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 3,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 10nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -16A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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